H5AN8G8NAFR-PBC vs H5AN8G6NAFR-PBC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN8G8NAFR-PBC द्वारा SK hynix और H5AN8G6NAFR-PBC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5AN8G8NAFR-PBC | H5AN8G6NAFR-PBC |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | SK hynix |
| श्रेणी | DRAM | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| संगठन | 1G x 8 | 512M x 16 |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | — |
| पैकेज | FBGA-78 | TFBGA-96 (rectangular) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade / Data Rate | [DATA_NEEDED: speed grade / data rate] | — |
| इंटरफ़ेस | DDR4 (double data rate, synchronized to clock) | — |
| Address Inputs | A0 - A17 (A10/AP, A12/BC_n, RAS_n/A16, CAS_n/A15, WE_n/A14 multiplexed) | — |
| Connectivity Test Mode | TEN (optional input on x4/x8, required on x16) | — |
| Process Technology | CMOS | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) |
| Datasheet Revision | Rev. 1.2 / July 2017 | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| VDD Supply Voltage | — | 1.20 V +/- 0.06 V |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.20 V +/- 0.06 V |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5 V +0.25/-0.125 V |
| इंटरफ़ेस प्रकार | — | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Speed Bins Supported | — | DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables) |
| Refresh | — | Auto / Self Refresh |
| DLL | — | DLL ON mode for speed bin operation |
| Clock | — | Differential clock (CK/CK#) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Composition | — | CMOS |