H5AN8G8NAFR-UHCR vs H5AN8G8NAFR-RDC तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN8G8NAFR-UHCR द्वारा SK hynix और H5AN8G8NAFR-RDC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

SK hynix
H5AN8G8NAFR-UHCR H5AN8G8NAFR-UHCR - 8Gb DDR4 SDRAM 2400 1.2V | SK Hynix

H5AN8G8NAFR-UHCR - 8Gb DDR4 SDRAM 2400 1.2V | SK Hynix

H5AN8G8NAFR-UHCR ✓ सक्रिय
SK hynix
H5AN8G8NAFR-RDC H5AN8G8NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NAFR-RDC ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर H5AN8G8NAFR-UHCR H5AN8G8NAFR-RDC
ब्रांड SK hynix SK hynix
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gbit
संगठन 1G x 8 1G x 8 (x8)
डेटा दर 2400 Mbps/pin (PC2400) 2666 MT/s (per -R speed grade suffix)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
इंटरफ़ेस CMOS, synchronous DDR4 DDR4 (Double Data Rate 4)
पैकेज FBGA-78 (PBGA78) 78-ball FBGA
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Packing Suffix R = Tape & Reel —
Speed Grade Code -UH —
Generation Family H5AN8GxNAFR-xxC (DDR4) —
RoHS स्थिति Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Compliant
Application Class Main memory / high bandwidth —
CAS लेटेंसी [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature range]
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh specification] —
MSL स्तर [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Speed Grade — -RDC (DDR4-2666 class)
Core Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
I/O Supply Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Wordline Supply (VPP) — 2.5 V
Banks / Bank Groups — 16 banks / 4 bank groups (DDR4 8Gb architecture)
Burst Length — 8 (BL8)
Lead-Free — Yes
हैलोजन फ्री — Yes
Datasheet Revision — Rev. 1.2 / Jul. 2017

डेटाशीट और संसाधन

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