H5AN8G8NAFR-VKC vs H5AN8G8NAFR-UHCR तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN8G8NAFR-VKC द्वारा SK hynix और H5AN8G8NAFR-UHCR द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

SK hynix
H5AN8G8NAFR-VKC H5AN8G8NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-VKC ✓ सक्रिय
SK hynix
H5AN8G8NAFR-UHCR H5AN8G8NAFR-UHCR - 8Gb DDR4 SDRAM 2400 1.2V | SK Hynix

H5AN8G8NAFR-UHCR - 8Gb DDR4 SDRAM 2400 1.2V | SK Hynix

H5AN8G8NAFR-UHCR ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर H5AN8G8NAFR-VKC H5AN8G8NAFR-UHCR
ब्रांड SK hynix SK hynix
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gbit
संगठन 1G x 8 1G x 8
Speed Grade DDR4-2666 (VKC bin) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
इंटरफ़ेस SSTL12 CMOS, synchronous DDR4
Burst Length 8 (BL8) —
Bank Group Architecture Supported (per DDR4 JEDEC architecture) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
DLL Yes (DLL for output skew control) —
पैकेज 78-ball FBGA FBGA-78 (PBGA78)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS स्थिति Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Compliant (Lead-Free & Halogen-Free)
Process Technology CMOS —
Recommended Application Main memory requiring large density and high bandwidth —
डेटा दर — 2400 Mbps/pin (PC2400)
Packing Suffix — R = Tape & Reel
Speed Grade Code — -UH
Generation Family — H5AN8GxNAFR-xxC (DDR4)
Application Class — Main memory / high bandwidth
CAS लेटेंसी — [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)]
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: refresh specification]
MSL स्तर — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

डेटाशीट और संसाधन

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