H5ANAG6NBJR-VKC vs H5ANAG6NBJR-PBC तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5ANAG6NBJR-VKC द्वारा SK hynix और H5ANAG6NBJR-PBC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

SK hynix
H5ANAG6NBJR-VKC H5ANAG6NBJR-VKC - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix | Memory IC

H5ANAG6NBJR-VKC - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix | Memory IC

H5ANAG6NBJR-VKC ✓ सक्रिय
SK hynix
H5ANAG6NBJR-PBC H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर H5ANAG6NBJR-VKC H5ANAG6NBJR-PBC
ब्रांड SK hynix SK hynix
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer SK Hynix —
Part Number H5ANAG6NBJR-VKC —
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16Gb (2GB) —
संगठन [DATA_NEEDED: x16 organization per datasheet] [DATA_NEEDED: Organization x16/x8]
डेटा दर 2666 Mbps (per family reference, VKC speed code) —
सप्लाई वोल्टेज 1.2 V (DDR4 standard) 1.2 V
इंटरफ़ेस DDR4, SSTL-12 —
पैकेज FBGA-96 (PBGA96) FBGA-96
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +95C (family grade reference) [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Auto Self-Refresh Yes —
Data Mask Function Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
CRC Function Yes Yes
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Density — 16 Gb (2 GB)
Generation Max Data Rate — 3200 MT/s (family max)
Self Refresh — Auto self-refresh
On-Chip Termination — Dynamic ODT
Speed Bin (PBC) — [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s]

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध