H5TC4G63AFR-G7A vs H5TC4G63AFR-PBJ तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5TC4G63AFR-G7A द्वारा SK hynix और H5TC4G63AFR-PBJ द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

SK hynix
H5TC4G63AFR-G7A H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A ✓ सक्रिय
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBJ H5TC4G63AFR-PBJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBJ ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर H5TC4G63AFR-G7A H5TC4G63AFR-PBJ
ब्रांड SK hynix SK hynix
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb —
संगठन 256M x 16 —
सप्लाई वोल्टेज 1.35V 1.35 V
डेटा दर 1600 Mbps (PC3-12800) [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1600 Mbps)]
पैकेज 96-ball FBGA 96-ball TFBGA
ऑपरेटिंग तापमान 0°C to 95°C (case) —
CAS लेटेंसी Programmable (e.g., 11) [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length 8 and 4 —
Refresh Period 7.8us at 85°C —
On-Die Termination Supported —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
हैलोजन फ्री Yes —
Process Technology CMOS —
मेमोरी आकार — 4 Gb (256M x 16)
Temperature Grade — Industrial (-40°C to +95°C)
Refresh Cycles — 8192
Package Shape — Rectangular
Number of Terminals — 96
Access Time — 0.225 ns (from H5TC4G63AFR-PBR datasheet)
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
RoHS स्थिति — [DATA_NEEDED: RoHS Status]

डेटाशीट और संसाधन

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