H5TC4G63AFR-G7A vs H5TC4G63AFR-PBJ So sánh

So sánh chi tiết song song của H5TC4G63AFR-G7A bằng SK hynix và H5TC4G63AFR-PBJ bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

SK hynix
H5TC4G63AFR-G7A H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A ✓ Hoạt động
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBJ H5TC4G63AFR-PBJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBJ ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số H5TC4G63AFR-G7A H5TC4G63AFR-PBJ
Thương hiệu SK hynix SK hynix
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb —
Tổ chức 256M x 16 —
Điện áp cung cấp 1.35V 1.35 V
Tốc độ dữ liệu 1600 Mbps (PC3-12800) [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1600 Mbps)]
Hộp 96-ball FBGA 96-ball TFBGA
Nhiệt độ hoạt động 0°C to 95°C (case) —
Latency CAS Programmable (e.g., 11) [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length 8 and 4 —
Refresh Period 7.8us at 85°C —
On-Die Termination Supported —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Đông trùng haogen Yes —
Process Technology CMOS —
Kích thước bộ nhớ — 4 Gb (256M x 16)
Temperature Grade — Industrial (-40°C to +95°C)
Refresh Cycles — 8192
Package Shape — Rectangular
Number of Terminals — 96
Access Time — 0.225 ns (from H5TC4G63AFR-PBR datasheet)
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Trạng thái RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS Status]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá