H5TQ4G63AFR-H9C vs MT41K256M16LY-107:N तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5TQ4G63AFR-H9C द्वारा SK hynix और MT41K256M16LY-107:N द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

SK hynix
H5TQ4G63AFR-H9C H5TQ4G63AFR-H9C - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TQ4G63AFR-H9C - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TQ4G63AFR-H9C ✓ सक्रिय
Micron Technology
MT41K256M16LY-107:N MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16LY-107:N ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर H5TQ4G63AFR-H9C MT41K256M16LY-107:N
ब्रांड SK hynix Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
यूनिट मूल्य (USD) $6.50 —
मेमोरी प्रकार DDR3 SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4 Gb —
संगठन 256M x 16 256M x 16
सप्लाई वोल्टेज 1.5 V 1.35 V
Clock Speed (tCK) 0.255 ns —
पैकेज 96-ball TFBGA —
Package Shape RECTANGULAR —
Refresh Cycles 8192 —
Number of Terminals 96 —
Temperature Grade OTHER —
RoHS Compliant Compliant
हैलोजन फ्री Yes —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount —
डेटा दर 3.9 Gbps per pin (approx) —
Ball Pitch 0.8 mm —
मेमोरी आकार — 4 Gbit
डेटा बस चौड़ाई — 16 bit
अधिकतम क्लॉक फ़्रीक्वेंसी — 933 MHz
Access Time — 20 ns
पैकेज / केस — 96-FBGA (7.5x13.5)
माउंटिंग स्टाइल — Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — 0°C to +95°C (Tc)
Memory Format — DRAM
Technology — DDR3L
Supply Voltage - Min — 1.283 V
Supply Voltage - Max — 1.45 V

डेटाशीट और संसाधन

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