IAUC100N04S6L014ATMA1 vs IAUC28N08S5L230ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUC100N04S6L014ATMA1 द्वारा Infineon और IAUC28N08S5L230ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IAUC100N04S6L014ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IAUC100N04S6L014ATMA1 ✓ सक्रियInfineon
IAUC28N08S5L230ATMA1 - 80V 28A 23mΩ OptiMOS-5 N-Channel MOSFET | Infineon
IAUC28N08S5L230ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IAUC100N04S6L014ATMA1 | IAUC28N08S5L230ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | IAUC / OptiMOS 6 40V | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| R_DS(on) max (V_GS=10V) | 1.4 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Q_G) | [DATA_NEEDED: Q_G typical] | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 100 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8 (SuperSO8, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm SSO8) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| AEC-Q101 Qualification | Yes | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS-5 Power MOSFET |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Packaging | Tape & Reel (ATMA1 suffix) | — |
| Series | — | OptiMOS-5 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) | — | 28 A |
| Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) | — | 23 mΩ (typ) |
| Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>, typ) | — | 2.5 V |
| Gate Charge (Q<sub>g</sub>, typ) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) | — | 38 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 °C to +175 °C |
| Automotive Qualified | — | Yes (AEC-Q101) |