IAUC100N04S6L014ATMA1 vs IAUC28N08S5L230ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IAUC100N04S6L014ATMA1 bằng Infineon và IAUC28N08S5L230ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IAUC100N04S6L014ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IAUC100N04S6L014ATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IAUC28N08S5L230ATMA1 - 80V 28A 23mΩ OptiMOS-5 N-Channel MOSFET | Infineon
IAUC28N08S5L230ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IAUC100N04S6L014ATMA1 | IAUC28N08S5L230ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | IAUC / OptiMOS 6 40V | — |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| R_DS(on) max (V_GS=10V) | 1.4 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Q_G) | [DATA_NEEDED: Q_G typical] | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 100 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +175C | — |
| Hộp | PG-TDSON-8 (SuperSO8, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm SSO8) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| AEC-Q101 Qualification | Yes | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS-5 Power MOSFET |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Packaging | Tape & Reel (ATMA1 suffix) | — |
| Series | — | OptiMOS-5 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) | — | 28 A |
| Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) | — | 23 mΩ (typ) |
| Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>, typ) | — | 2.5 V |
| Gate Charge (Q<sub>g</sub>, typ) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) | — | 38 W |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55 °C to +175 °C |
| Automotive Qualified | — | Yes (AEC-Q101) |