IAUC100N10S5L054ATMA1 vs ISC037N12NM6ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUC100N10S5L054ATMA1 द्वारा Infineon और ISC037N12NM6ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IAUC100N10S5L054ATMA1 | ISC037N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 (IAUC automotive family) | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (V_DS) | 100 V | — |
| Gate-to-Source Voltage (V_GS) | [DATA_NEEDED: max V_GS value] | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tj) | 101 A | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 130 W | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 5.4 mΩ | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C to +175°C | -55C to +175C (junction) |
| पैकेज | PG-TDSON-8-34 (surface mount) | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 (automotive) | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench | OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 120 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | — | 19.2 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) at Tc | — | 163 A |
| On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V | — | 3.7 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 214 W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] |
| Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse) |