IAUC120N06S5L015ATMA1 vs IAUC120N06S5N011ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUC120N06S5L015ATMA1 द्वारा Infineon और IAUC120N06S5N011ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ सक्रियInfineon
IAUC120N06S5N011ATMA1 - 60V 1.1mΩ OptiMOS-5 N-Ch MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5N011ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IAUC120N06S5L015ATMA1 | IAUC120N06S5N011ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 235 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) | 1.5 mΩ | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | 88 nC | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 167 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C (Tj) | -55°C to +175°C (Tj) |
| पैकेज | PG-TDSON-8-43 (Surface Mount) | PG-TDSON-8-53 (SSO8 5x6 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount (exposed pad) | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Drain-Source On-State Resistance Test Conditions | VGS = 10 V, ID = 50 A | — |
| Typical Application | Automotive DC-DC, battery switches, motor drives | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS-5 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (Id) | — | 120 A (Tc=25°C, Vgs=10V) |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | 310 A (Tj) |
| On-Resistance Rds(on) max | — | 1.1 mΩ at Vgs=10 V |
| Gate-Source Voltage (Vgs) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total value] |
| Power Dissipation (Pd) | — | 188 W (Tc=25°C) |
| RoHS Compliance | — | Compliant |