IAUC28N08S5L230ATMA1 vs IAUC120N04S6L012ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUC28N08S5L230ATMA1 द्वारा Infineon और IAUC120N04S6L012ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IAUC28N08S5L230ATMA1 IAUC28N08S5L230ATMA1 - 80V 28A 23mΩ OptiMOS-5 N-Channel MOSFET | Infineon

IAUC28N08S5L230ATMA1 - 80V 28A 23mΩ OptiMOS-5 N-Channel MOSFET | Infineon

IAUC28N08S5L230ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IAUC120N04S6L012ATMA1 IAUC120N04S6L012ATMA1 - 40V 120A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6L012ATMA1 - 40V 120A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6L012ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IAUC28N08S5L230ATMA1 IAUC120N04S6L012ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS-5 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 80 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) 28 A —
Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) 23 mΩ (typ) —
Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>, typ) 2.5 V —
Gate Charge (Q<sub>g</sub>, typ) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) 38 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55 °C to +175 °C —
पैकेज PG-TDSON-8-33 (5x6 mm SSO8) PG-TDSON-8 (TDSON-8, surface mount with exposed pad)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS-5 Power MOSFET —
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101) —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Part Family — OptiMOS 6 40V
ट्रांज़िस्टर प्रकार — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 120 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 480 A
On-State Resistance (RDS(on)) at 10V VGS — 1.2 mΩ (typ)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg at 20V VGS]
Power Dissipation (PD) at TC — 115 W
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55 °C to +175 °C (junction)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Delivery Form — Tape & Reel

डेटाशीट और संसाधन

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