IAUC28N08S5L230ATMA1 vs IAUC120N04S6L012ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IAUC28N08S5L230ATMA1 bằng Infineon và IAUC120N04S6L012ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IAUC28N08S5L230ATMA1 IAUC28N08S5L230ATMA1 - 80V 28A 23mΩ OptiMOS-5 N-Channel MOSFET | Infineon

IAUC28N08S5L230ATMA1 - 80V 28A 23mΩ OptiMOS-5 N-Channel MOSFET | Infineon

IAUC28N08S5L230ATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IAUC120N04S6L012ATMA1 IAUC120N04S6L012ATMA1 - 40V 120A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6L012ATMA1 - 40V 120A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6L012ATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IAUC28N08S5L230ATMA1 IAUC120N04S6L012ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS-5 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 80 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) 28 A —
Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) 23 mΩ (typ) —
Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>, typ) 2.5 V —
Gate Charge (Q<sub>g</sub>, typ) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) 38 W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55 °C to +175 °C —
Hộp PG-TDSON-8-33 (5x6 mm SSO8) PG-TDSON-8 (TDSON-8, surface mount with exposed pad)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS-5 Power MOSFET —
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101) —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Cấp MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Part Family — OptiMOS 6 40V
Kiểu transitor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 120 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 480 A
On-State Resistance (RDS(on)) at 10V VGS — 1.2 mΩ (typ)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg at 20V VGS]
Power Dissipation (PD) at TC — 115 W
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55 °C to +175 °C (junction)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Delivery Form — Tape & Reel

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá