IAUC60N04S6L030HATMA1 vs BSZ100N03MSGATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUC60N04S6L030HATMA1 द्वारा Infineon और BSZ100N03MSGATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ सक्रियInfineon
BSZ100N03MSGATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS 40A TSDSON-8 MOSFET | Infineon
BSZ100N03MSGATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IAUC60N04S6L030HATMA1 | BSZ100N03MSGATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Series | OptiMOS 6 | — |
| Configuration | Half-Bridge (2 N-Channel) | Single with built-in body diode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TJ | 60 A | — |
| On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V | 3.0 mOhm (typical) | — |
| Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V | 35 nC | — |
| Output Capacitance (Coss) | 2.128 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 596 pF | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC | 75 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 C to +175 C | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm) | PG-TSDSON-8 (5x6 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (per part number suffix) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Part Family | — | OptiMOS 25V / 30V |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 10 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 30 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: ±20 V typical per datasheet; verify in datasheet] |
| Technology | — | Trench MOSFET (OptiMOS) |
| Terminal Finish | — | Tin (Pb-free) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +150C (junction) |
| Qualification | — | JEDEC - target application qualified |
| Avalanche Tested | — | 100% (per JEDEC) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (Pb-free plating) |
| हैलोजन फ्री | — | Yes (per IEC 61249-2-21) |
| RDS(on) at VGS=10V (typical) | — | [DATA_NEEDED: see datasheet Diagram 1] |
| Gate Charge Qg (typical) | — | [DATA_NEEDED: see datasheet] |