IAUC60N10S5L110ATMA1 vs IPB024N10N5ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUC60N10S5L110ATMA1 द्वारा Infineon और IPB024N10N5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IAUC60N10S5L110ATMA1 IAUC60N10S5L110ATMA1 - 100V 11mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUC60N10S5L110ATMA1 - 100V 11mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUC60N10S5L110ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IPB024N10N5ATMA1 IPB024N10N5ATMA1 - 100V 2.4mΩ OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

IPB024N10N5ATMA1 - 100V 2.4mΩ OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

IPB024N10N5ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IAUC60N10S5L110ATMA1 IPB024N10N5ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS™-5 —
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, Tc) 60 A —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, Tc) 88 W —
R<sub>DS(on)</sub> at V<sub>GS</sub>=10 V 11 mΩ —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) 1.2 V —
पैकेज PG-TDSON-8-33 (TDSON-8 Single) PG-TO263-7 (D2PAK-7)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान रेंज [DATA_NEEDED: min/max operating temperature] -55C to +175C (junction)
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) [DATA_NEEDED: Qg at specified Vgs] —
Avalanche Energy (E<sub>AS</sub>) [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] —
Lead-Free / RoHS Yes (RoHS compliant per LCSC listing) —
Packing Code ATMA1 (Tape & Reel) —
MSL स्तर 1 (per LCSC datasheet snippet) 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH)
हैलोजन फ्री Yes (per Infineon product classification) Yes (per Infineon product family policy)
Customer Info / FGR J52 (per Infineon product data) —
Technology — OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 180 A
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 250 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.4 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Input Capacitance Ciss — [DATA_NEEDED: Ciss value]
Output Capacitance Coss — [DATA_NEEDED: Coss value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
RoHS स्थिति — Compliant
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)

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