IAUCN04S7L050HATMA1 vs IAUCN04S7L014ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUCN04S7L050HATMA1 द्वारा Infineon और IAUCN04S7L014ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IAUCN04S7L050HATMA1 IAUCN04S7L050HATMA1 - 40V Dual N-Ch OptiMOS 7, 5.04mΩ | Infineon

IAUCN04S7L050HATMA1 - 40V Dual N-Ch OptiMOS 7, 5.04mΩ | Infineon

IAUCN04S7L050HATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IAUCN04S7L014ATMA1 IAUCN04S7L014ATMA1 - 40V 120A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L014ATMA1 - 40V 120A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L014ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IAUCN04S7L050HATMA1 IAUCN04S7L014ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ 7 OptiMOS 5 40V Automotive
Configuration Dual N-Channel (Dual Drain, Half-Bridge) Single N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID), Tc=25°C 65 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.04 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] [DATA_NEEDED: Total gate charge Qg]
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C 40 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55 °C to +175 °C —
पैकेज PG-TDSON-8-57 (SuperSO8 half-bridge) PG-TDSON-8-34 (TDSON EP, 8-pin)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 (family-level, automotive grade) —
Technology Trench MOSFET, OptiMOS™ 7 40V —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) — 120 A
On-Resistance RDS(on) Max — 1.43 mΩ
गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज — [DATA_NEEDED: Gate threshold voltage]
Power Dissipation (Pd) — [DATA_NEEDED: Power dissipation Pd]
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55°C to +175°C (typical automotive MOSFET range)
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)

डेटाशीट और संसाधन

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