IAUCN10S7L180ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUCN10S7L180ATMA1 द्वारा Infineon और IAUCN08S7L033ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IAUCN10S7L180ATMA1 - 100V 39A 18mΩ Automotive MOSFET | Infineon
IAUCN10S7L180ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IAUCN10S7L180ATMA1 | IAUCN08S7L033ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™ 7 | Automotive OptiMOS 7 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Number of Channels | 1 | — |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | 39 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 58 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 16.1 mΩ @ VGS=10 V | — |
| Typical RDS(on) | 18 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.6 V | — |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V (±16 V per JLCPCB listing) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 11 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 272 pF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 668 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 7 pF | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 °C to +175 °C | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) | PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualified | Yes | — |
| RoHS स्थिति | EU RoHS Compliant with Exemption | Compliant |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Part Status | Active | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 3.3 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 130 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | — | 118 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55°C to +175°C (TJ) |
| Qualification | — | Automotive Grade (per Infineon datasheet header) |
| Technology | — | OptiMOS 7 trench MOSFET |
| MSL स्तर | — | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) |