IAUCN10S7L180ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN10S7L180ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUCN08S7L033ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUCN10S7L180ATMA1 IAUCN10S7L180ATMA1 - 100V 39A 18mΩ Automotive MOSFET | Infineon

IAUCN10S7L180ATMA1 - 100V 39A 18mΩ Automotive MOSFET | Infineon

IAUCN10S7L180ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUCN10S7L180ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ 7 Automotive OptiMOS 7
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Number of Channels 1 —
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tj) 39 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 58 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 16.1 mΩ @ VGS=10 V —
Typical RDS(on) 18 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 1.6 V —
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (±16 V per JLCPCB listing) —
Total Gate Charge (Qg) 11 nC —
Input Capacitance (Ciss) 272 pF —
Output Capacitance (Coss) 668 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 7 pF —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +175 °C —
پیکیج PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes —
RoHS اسٹیٹس EU RoHS Compliant with Exemption Compliant
Configuration Single Quad Drain Triple Source —
Channel Mode Enhancement —
Part Status Active —
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55°C to +175°C (TJ)
Qualification — Automotive Grade (per Infineon datasheet header)
Technology — OptiMOS 7 trench MOSFET
MSL لیول — 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں