IAUCN10S7L180ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUCN10S7L180ATMA1 توسط Infineon و IAUCN08S7L033ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IAUCN10S7L180ATMA1 IAUCN10S7L180ATMA1 - 100V 39A 18mΩ Automotive MOSFET | Infineon

IAUCN10S7L180ATMA1 - 100V 39A 18mΩ Automotive MOSFET | Infineon

IAUCN10S7L180ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUCN10S7L180ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ 7 Automotive OptiMOS 7
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Number of Channels 1 —
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tj) 39 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 58 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 16.1 mΩ @ VGS=10 V —
Typical RDS(on) 18 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 1.6 V —
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (±16 V per JLCPCB listing) —
Total Gate Charge (Qg) 11 nC —
Input Capacitance (Ciss) 272 pF —
Output Capacitance (Coss) 668 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 7 pF —
دمای اتصال کاری -55 °C to +175 °C —
بسته‌بندی PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes —
وضعیت RoHS EU RoHS Compliant with Exemption Compliant
Configuration Single Quad Drain Triple Source —
Channel Mode Enhancement —
Part Status Active —
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
محدوده دمای کاری — -55°C to +175°C (TJ)
Qualification — Automotive Grade (per Infineon datasheet header)
Technology — OptiMOS 7 trench MOSFET
سطح MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت