IAUCN10S7L290TATMA1 vs IAUCN10S5L110TATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUCN10S7L290TATMA1 द्वारा Infineon और IAUCN10S5L110TATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IAUCN10S7L290TATMA1 - 100V 27A OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon
IAUCN10S7L290TATMA1 ✓ सक्रियInfineon
IAUCN10S5L110TATMA1 - 100V 61A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon
IAUCN10S5L110TATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IAUCN10S7L290TATMA1 | IAUCN10S5L110TATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS™ 7 | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 27 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 28.6 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 45 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 °C to +175 °C | -55 °C to +175 °C |
| पैकेज | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7 mm) - top-side cooled | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 qualified | AEC-Q101 Extended Qualification |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | MSL1 (260°C peak reflow) |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Avalanche Rated | Yes | 100% Avalanche Tested |
| ESD Protection | HBM Class 1C (per Infineon datasheet) | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Technology | — | N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 61 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 11.3 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 88 W |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temperature] |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |