IAUCN10S7L290TATMA1 vs IAUCN10S5L110TATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IAUCN10S7L290TATMA1 bằng Infineon và IAUCN10S5L110TATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IAUCN10S7L290TATMA1 - 100V 27A OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon
IAUCN10S7L290TATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IAUCN10S5L110TATMA1 - 100V 61A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon
IAUCN10S5L110TATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IAUCN10S7L290TATMA1 | IAUCN10S5L110TATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS™ 7 | — |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 27 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 28.6 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 45 W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 °C to +175 °C | -55 °C to +175 °C |
| Hộp | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7 mm) - top-side cooled | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 qualified | AEC-Q101 Extended Qualification |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | MSL1 (260°C peak reflow) |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Avalanche Rated | Yes | 100% Avalanche Tested |
| ESD Protection | HBM Class 1C (per Infineon datasheet) | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Technology | — | N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 61 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 11.3 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 88 W |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temperature] |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |