IAUT300N08S5N014ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUT300N08S5N014ATMA1 द्वारा Infineon और ISC015N06NM5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IAUT300N08S5N014ATMA1 IAUT300N08S5N014ATMA1 - 80V 300A 1.4mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N014ATMA1 - 80V 300A 1.4mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N014ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
ISC015N06NM5ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1 - 60V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N06NM5ATMA1 - 60V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N06NM5ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IAUT300N08S5N014ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 300 A (DC) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V (typ) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 1.4 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max] —
Power Dissipation PD @ TC=25°C 300 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55 °C to +175 °C —
पैकेज PG-HSOF-8-1 (8-pin + tab, Surface Mount) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (unlimited floor life at ≤30 °C / 85 % RH) 1
Peak Reflow Temperature 260 °C —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Avalanche Tested 100 % (per Infineon datasheet) —
RoHS Compliance Compliant (Green Product) —
Technology Family OptiMOS 5 (Infineon) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55 C to +175 C
Technology — Trench MOSFET (OptiMOS 5)
RoHS स्थिति — Compliant

डेटाशीट और संसाधन

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