IAUTN04S7N004ATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUTN04S7N004ATMA1 द्वारा Infineon और IAUC60N04S6L030HATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IAUTN04S7N004ATMA1 | IAUC60N04S6L030HATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | [DATA_NEEDED: ID at TC=25C] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 350 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 0.38 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 255 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | 2 V |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C | — |
| पैकेज | PG-HSOF-8-8 (TOLL 10x12) | PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 Automotive | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| Part Series | — | OptiMOS 6 |
| Configuration | — | Half-Bridge (2 N-Channel) |
| Continuous Drain Current (ID) at TJ | — | 60 A |
| On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V | — | 3.0 mOhm (typical) |
| Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V | — | 35 nC |
| Output Capacitance (Coss) | — | 2.128 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 596 pF |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC | — | 75 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 C to +175 C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 (per part number suffix) |
| MSL स्तर | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |