IAUTN04S7N004ATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUTN04S7N004ATMA1 توسط Infineon و IAUC60N04S6L030HATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IAUTN04S7N004ATMA1 IAUTN04S7N004ATMA1 - 40V 0.38mΩ 350A OptiMOS 7 | Infineon

IAUTN04S7N004ATMA1 - 40V 0.38mΩ 350A OptiMOS 7 | Infineon

IAUTN04S7N004ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUTN04S7N004ATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 —
Technology N-Channel Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C [DATA_NEEDED: ID at TC=25C] —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 350 A —
On-Resistance RDS(on) max 0.38 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC 255 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] 2 V
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
محدوده دمای کاری -55C to +175C —
بسته‌بندی PG-HSOF-8-8 (TOLL 10x12) PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 Automotive —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Polarity N-Channel —
Part Series — OptiMOS 6
Configuration — Half-Bridge (2 N-Channel)
Continuous Drain Current (ID) at TJ — 60 A
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V — 3.0 mOhm (typical)
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 35 nC
Output Capacitance (Coss) — 2.128 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 596 pF
Maximum Power Dissipation (PD) at TC — 75 W
دمای اتصال کاری — -55 C to +175 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per part number suffix)
سطح MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت