IAUZN04S7L030ATMA1 vs IAUCN04S7N009ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUZN04S7L030ATMA1 द्वारा Infineon और IAUCN04S7N009ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IAUZN04S7L030ATMA1 IAUZN04S7L030ATMA1 - 40V 3.05mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN04S7L030ATMA1 - 40V 3.05mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN04S7L030ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IAUZN04S7L030ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 60 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tj) 100 A —
On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V max) 3.05 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 58 W —
Operating Junction Temperature (Tj) -55C to +175C —
Technology Family OptiMOS-7 —
Channel Type N-Channel —
पैकेज PG-TSDSON-8-44 (S3O8) 3x3 mm² PG-TDSON-8-34 (Surface Mount)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 (Automotive OptiMOS) —
RoHS Compliance Compliant —
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 7
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) — 175 A
R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V — 0.96 mΩ
Gate Drive Voltage (V_GS) — 10 V
ऑपरेटिंग तापमान — -55C to +175C
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
RoHS स्थिति — Compliant
Configuration — Single N-Channel
Supplier Device Package — PG-TDSON-8-34

डेटाशीट और संसाधन

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