IAUZN04S7N049ATMA1 vs IAUCN04S7L050HATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUZN04S7N049ATMA1 द्वारा Infineon और IAUCN04S7L050HATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IAUZN04S7N049ATMA1 IAUZN04S7N049ATMA1 - 40V OptiMOS-7 60A Auto MOSFET | Infineon

IAUZN04S7N049ATMA1 - 40V OptiMOS-7 60A Auto MOSFET | Infineon

IAUZN04S7N049ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IAUCN04S7L050HATMA1 IAUCN04S7L050HATMA1 - 40V Dual N-Ch OptiMOS 7, 5.04mΩ | Infineon

IAUCN04S7L050HATMA1 - 40V Dual N-Ch OptiMOS 7, 5.04mΩ | Infineon

IAUCN04S7L050HATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IAUZN04S7N049ATMA1 IAUCN04S7L050HATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS-7 OptiMOS™ 7
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 40 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>a</sub>) 14 A —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>j</sub>) 70 A —
Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
R<sub>DS(on)</sub> (max, V<sub>GS</sub>=10V) 1.2 to 4.9 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>c</sub>) 45 W —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +175C (junction) —
पैकेज PG-TSDSON-8-44 (5x6 mm) PG-TDSON-8-57 (SuperSO8 half-bridge)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Technology OptiMOS-7 trench-gate Trench MOSFET, OptiMOS™ 7 40V
Configuration — Dual N-Channel (Dual Drain, Half-Bridge)
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID), Tc=25°C — 65 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.04 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C — 40 W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55 °C to +175 °C
MSL स्तर — 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS स्थिति — Compliant
Automotive Qualification — AEC-Q101 (family-level, automotive grade)

डेटाशीट और संसाधन

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