IMW120R045M1H vs SCT4062KRC15 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IMW120R045M1H द्वारा Infineon और SCT4062KRC15 द्वारा ROHM Semiconductor. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IMW120R045M1H IMW120R045M1H - 1200V 45mOhm CoolSiC MOSFET | Infineon

IMW120R045M1H - 1200V 45mOhm CoolSiC MOSFET | Infineon

IMW120R045M1H ✓ सक्रिय
ROHM Semiconductor
SCT4062KRC15 SCT4062KRC15 - 1200V 26A 62mΩ SiC MOSFET TO-247-4 | ROHM

SCT4062KRC15 - 1200V 26A 62mΩ SiC MOSFET TO-247-4 | ROHM

SCT4062KRC15 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IMW120R045M1H SCT4062KRC15
ब्रांड Infineon ROHM Semiconductor
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Technology CoolSiC SiC Trench MOSFET Silicon Carbide (SiC), trench-gate
Drain-Source Voltage (VDS) 1200 V —
On-Resistance (RDS(on)) 45 mOhm at Tj = 25C —
Continuous Drain Current (ID) 52 A at Tc = 25C —
पावर डिसिपेशन (Ptot) 228 W at Tc = 25C —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V —
Recommended Turn-On Gate Voltage 15 V —
Turn-Off Gate Voltage 0 V —
Configuration Single N-channel with built-in body diode Single N-Channel
माउंटिंग प्रकार Through Hole Through-Hole (THD)
पैकेज PG-TO247-3-41 (TO-247-3) TO-247-4L (4-pin through-hole, Kelvin source)
Qualification Industrial grade —
Gate Drive Compatibility IGBT-compatible gate drive —
dv/dt Control Fully controllable via gate resistor —
Body Diode Robust, suitable for synchronous rectification —
Turn-Off Switching Losses Temperature independent —
Manufacturer Recommended Operating Margin Do not exceed 80% of maximum ratings for optimum lifetime —
Manufacturer — ROHM Semiconductor
Product Family — 4th-Gen SiC Trench MOSFET
ट्रांज़िस्टर प्रकार — N-Channel SiC MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 1200 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 26 A
R_DS(on) (typ) — 62 mΩ @ V_GS = 18 V
Gate-Source Voltage (V_GS) Drive — 15 V nominal, ±18 V max
Power Dissipation (P_D, Tc=25°C) — 115 W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55 °C to +175 °C
Gate-Drive Logic — Standard SiC drive (15 V V_GS)
Short-Circuit Withstand — Yes (per datasheet)
RoHS स्थिति — Compliant

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