IPA60R180P7SXKSA1 vs IPB60R280P7ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPA60R180P7SXKSA1 द्वारा Infineon और IPB60R280P7ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPA60R180P7SXKSA1 | IPB60R280P7ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $0.88 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) N-channel MOSFET | Superjunction (SJ) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 18 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 180 mOhm (max at 25C) | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 26 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| पैकेज | PG-TO220-3-312 (Through-Hole, 3 leads) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (junction) | -55 °C to +150 °C (T_j max) |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Configuration | Single | Single N-Channel |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Product Family | — | CoolMOS P7 (600 V) |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | — | 12 A |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | — | 280 mOhm |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | — | 3.5 V |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | — | 53 W |
| पिन काउंट | — | 3 (2 + Tab) |
| Generation | — | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) |