IPA60R180P7SXKSA1 vs IPB60R280P7ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPA60R180P7SXKSA1 بذریعہ Infineon اور IPB60R280P7ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPA60R180P7SXKSA1 | IPB60R280P7ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | — | $0.88 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) N-channel MOSFET | Superjunction (SJ) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 18 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 180 mOhm (max at 25C) | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 26 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| پیکیج | PG-TO220-3-312 (Through-Hole, 3 leads) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C (junction) | -55 °C to +150 °C (T_j max) |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Configuration | Single | Single N-Channel |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Product Family | — | CoolMOS P7 (600 V) |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | — | 12 A |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | — | 280 mOhm |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | — | 3.5 V |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | — | 53 W |
| پن کی تعداد | — | 3 (2 + Tab) |
| Generation | — | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) |