IPA60R180P7SXKSA1 vs IPB60R280P7ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPA60R180P7SXKSA1 tarafından Infineon ve IPB60R280P7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPA60R180P7SXKSA1 | IPB60R280P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Birim Fiyat (USD) | — | $0,88 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) N-channel MOSFET | Superjunction (SJ) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 18 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 180 mOhm (max at 25C) | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 26 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Paket | PG-TO220-3-312 (Through-Hole, 3 leads) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Montaj Türü | Through Hole | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C (junction) | -55 °C to +150 °C (T_j max) |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Configuration | Single | Single N-Channel |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Product Family | — | CoolMOS P7 (600 V) |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | — | 12 A |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | — | 280 mOhm |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | — | 3.5 V |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | — | 53 W |
| Pin Sayısı | — | 3 (2 + Tab) |
| Generation | — | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) |