IPB020NE7N3GATMA1 vs BSC036NE7NS3GATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPB020NE7N3GATMA1 द्वारा Infineon और BSC036NE7NS3GATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPB020NE7N3GATMA1 - 75V 120A N-Channel MOSFET | Infineon OptiMOS
IPB020NE7N3GATMA1 ✓ सक्रियInfineon
BSC036NE7NS3GATMA1 - 75V 100A N-Channel OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
BSC036NE7NS3GATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPB020NE7N3GATMA1 | BSC036NE7NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPB020NE7N3GATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 3 N-Channel Power MOSFET | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 120 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 300 W | — |
| On-State Resistance RDS(on) | 2.0 mΩ typical (per part number code) | — |
| पैकेज | PG-TO263-3 (D²PAK, TO-263AB) | PG-TDSON-8-7 (5x6 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C (junction) | -55C to +175C |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] | — |
| Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | ROHS3 Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Avalanche Rated | Yes (per OptiMOS 3 family datasheet) | — |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 400 A |
| On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) | — | 3.6 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | 2.6 V |
| Total Gate Charge (Qg typ @ VGS=10V) | — | 45 nC |
| Rise Time (tr typ) | — | 13 ns |
| Fall Time (tf typ) | — | 11 ns |
| Power Dissipation (PD max, Tc=25C) | — | 156 W |
| Power Dissipation (Ta=25C) | — | 2.5 W |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | — | 0.8 C/W |