IPB020NE7N3GATMA1 vs BSC036NE7NS3GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB020NE7N3GATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC036NE7NS3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPB020NE7N3GATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPB020NE7N3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 N-Channel Power MOSFET —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 75 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 120 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 300 W —
On-State Resistance RDS(on) 2.0 mΩ typical (per part number code) —
پیکیج PG-TO263-3 (D²PAK, TO-263AB) PG-TDSON-8-7 (5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Configuration Single —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C (junction) -55C to +175C
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] —
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
RoHS اسٹیٹس Compliant ROHS3 Compliant
Lead-Free Yes —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Avalanche Rated Yes (per OptiMOS 3 family datasheet) —
Series — OptiMOS 3
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 400 A
On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) — 3.6 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 2.6 V
Total Gate Charge (Qg typ @ VGS=10V) — 45 nC
Rise Time (tr typ) — 13 ns
Fall Time (tf typ) — 11 ns
Power Dissipation (PD max, Tc=25C) — 156 W
Power Dissipation (Ta=25C) — 2.5 W
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — 0.8 C/W

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں