IPB021N10NM5LF2ATMA1 vs IPB081N06L3GATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPB021N10NM5LF2ATMA1 द्वारा Infineon और IPB081N06L3GATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPB021N10NM5LF2ATMA1 - 100V 2.1mΩ Linear FET MOSFET | Infineon
IPB021N10NM5LF2ATMA1 ✓ सक्रियInfineon
IPB081N06L3GATMA1 - 60V 50A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB081N06L3GATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPB021N10NM5LF2ATMA1 | IPB081N06L3GATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 5 Linear FET 2 | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C | 176 A | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_A=25°C | 30 A | — |
| R_DS(on) Maximum | 2.1 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) Maximum | ±20 V [DATA_NEEDED: absolute max rated V_GS] | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min] | — |
| Power Dissipation (P_D) at T_C=25°C | 375 W | — |
| Power Dissipation (P_D) at T_A=25°C | 3.8 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C to +175°C [DATA_NEEDED: confirm from datasheet operating junction range] | -55 C to +175 C (junction) |
| पैकेज | PG-TO263-3-2 (D2PAK, surface mount, 3 pins + tab) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Drive Voltage (Max R_DS(on), Min R_DS(on)) | 10 V, 15 V | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench-gate MOSFET (Linear FET optimized) | OptiMOS 3 (low-voltage power MOSFET) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: confirm MSL rating from manufacturer datasheet] | 1 (unlimited) |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 50 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.2 V min, 2.1 V typ, 2.6 V max |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 8.1 mOhm typical |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 79 W |
| पिन की संख्या | — | 3 |
| Pin Configuration | — | Gate / Drain / Source (D2PAK standard) |