IPB021N10NM5LF2ATMA1 vs IPB081N06L3GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB021N10NM5LF2ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB081N06L3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPB021N10NM5LF2ATMA1 IPB021N10NM5LF2ATMA1 - 100V 2.1mΩ Linear FET MOSFET | Infineon

IPB021N10NM5LF2ATMA1 - 100V 2.1mΩ Linear FET MOSFET | Infineon

IPB021N10NM5LF2ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPB021N10NM5LF2ATMA1 IPB081N06L3GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 Linear FET 2 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C 176 A —
Continuous Drain Current (I_D) at T_A=25°C 30 A —
R_DS(on) Maximum 2.1 mΩ —
Gate-Source Voltage (V_GS) Maximum ±20 V [DATA_NEEDED: absolute max rated V_GS] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min] —
Power Dissipation (P_D) at T_C=25°C 375 W —
Power Dissipation (P_D) at T_A=25°C 3.8 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +175°C [DATA_NEEDED: confirm from datasheet operating junction range] -55 C to +175 C (junction)
پیکیج PG-TO263-3-2 (D2PAK, surface mount, 3 pins + tab) PG-TO263-3 (D2PAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Drive Voltage (Max R_DS(on), Min R_DS(on)) 10 V, 15 V —
Technology OptiMOS 5 trench-gate MOSFET (Linear FET optimized) OptiMOS 3 (low-voltage power MOSFET)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول [DATA_NEEDED: confirm MSL rating from manufacturer datasheet] 1 (unlimited)
Series — OptiMOS 3
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.2 V min, 2.1 V typ, 2.6 V max
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 8.1 mOhm typical
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 79 W
پنز کی تعداد — 3
Pin Configuration — Gate / Drain / Source (D2PAK standard)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں