IPB35N10S3L26ATMA1 vs IPG20N10S4L22AATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPB35N10S3L26ATMA1 द्वारा Infineon और IPG20N10S4L22AATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPB35N10S3L26ATMA1 | IPG20N10S4L22AATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS-T | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 35 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 71 W | — |
| Package Type | PG-TO263-3 (D2PAK-2) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन काउंट | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| RDS(on) (typical per Infineon product page) | 26.3 mΩ | — |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80 nC | — |
| Maximum Drain-Source Resistance Rds | 1.7 mΩ (per RS Components listing) | — |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | — |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81 W (per RS Components listing) | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| AEC-Q101 Qualification | [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status] | — |
| FET Type | — | Dual N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) | — | 20 A |
| On-State Resistance (R<sub>DS(on)</sub>) | — | 22 mΩ (typical) |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | — | 60 W |
| Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) | — | ±20 V |
| Gate Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] |
| पैकेज | — | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) |
| Lead Configuration | — | Wettable Flank |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Technology | — | OptiMOS T2 |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -55°C to +175°C |
| Channel Count | — | 2 (dual independent) |