IPC100N04S51R7ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPC100N04S51R7ATMA1 द्वारा Infineon और IAUCN08S7L033ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPC100N04S51R7ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS-5 Automotive OptiMOS 7
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel MOSFET, Enhancement Mode N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage VDS 40 V —
Continuous Drain Current ID 100 A (at TC) —
Pulsed Drain Current IDM [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage VGS [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation PD 115 W (at TC) —
Thermal Resistance RthJC 1.3 K/W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55 °C to +175 °C —
पैकेज PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर MSL1 (260 °C peak reflow) 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)
AEC-Q101 Qualified Yes —
Avalanche Tested 100% tested —
RoHS स्थिति Compliant (Green Product) Compliant
Built-in Body Diode Yes —
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55°C to +175°C (TJ)
Qualification — Automotive Grade (per Infineon datasheet header)
Technology — OptiMOS 7 trench MOSFET

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