IPC90N04S5L3R3ATMA1 vs BSC0501NSIATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPC90N04S5L3R3ATMA1 द्वारा Infineon और BSC0501NSIATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IPC90N04S5L3R3ATMA1 IPC90N04S5L3R3ATMA1 - 40V 90A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

IPC90N04S5L3R3ATMA1 - 40V 90A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

IPC90N04S5L3R3ATMA1 ✓ सक्रिय
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BSC0501NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET 100A | Infineon

BSC0501NSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET 100A | Infineon

BSC0501NSIATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPC90N04S5L3R3ATMA1 BSC0501NSIATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon
Product Family OptiMOS 5 40V OptiMOS 5 25V/30V
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 90 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.3 mΩ —
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 1.7 V to 2.7 V (logic level) —
Total Power Dissipation (TC=25°C) 62 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55°C to +175°C -55C to +150C
Storage Temperature Range [DATA_NEEDED: storage temp range] —
पैकेज PG-TDSON-8-34 (TDSON-8) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL Moisture Sensitivity MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Peak Reflow Temperature 260°C —
Qualification AEC-Q101 automotive qualified —
Avalanche Tested 100% (production-level) —
RoHS Compliance Compliant (Green Product) —
ट्रांज़िस्टर प्रकार — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 29 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 50 W
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
MSL स्तर — 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS स्थिति — Compliant
Avalanche Rated — Yes
Technology — Trench-gate OptiMOS 5

डेटाशीट और संसाधन

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