IPD031N03LGATMA1 vs IPD50N03S4L06ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD031N03LGATMA1 द्वारा Infineon और IPD50N03S4L06ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 - 30V 90A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon

IPD031N03LGATMA1 - 30V 90A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon

IPD031N03LGATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IPD50N03S4L06ATMA1 IPD50N03S4L06ATMA1 - 30V 50A N-Ch OptiMOS | Infineon

IPD50N03S4L06ATMA1 - 30V 50A N-Ch OptiMOS | Infineon

IPD50N03S4L06ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPD031N03LGATMA1 IPD50N03S4L06ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel N-Channel, Enhancement Mode
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 3 —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25 °C 90 A (Tc) —
Power Dissipation (Pd) 94 W (Tc) —
RDS(on) Max @ VGS=10V 3.1 mΩ —
RDS(on) Max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max] —
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) 4.5 V, 10 V —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical @ 10V Vgs] —
Output Charge (Qoss) Ultra low (per datasheet tagline) —
ऑपरेटिंग तापमान -55 °C to +175 °C (junction) —
पैकेज PG-TO252-3-11 (DPAK-2) PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin (2 + tab), surface mount
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Mounting Tab Drain (electrically connected) —
Avalanche Energy Rated Yes (per OptiMOS 3 datasheet family) —
RoHS स्थिति Compliant Compliant (Green Package)
MSL स्तर 1 MSL1 (up to 260 C peak reflow)
Drain-Source Voltage (V_DS) — 30 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 50 A
On-State Resistance (R_DS(on) max) — 5.5 mOhm at V_GS = 10 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) — 2.2 V
Total Gate Charge (Q_g) — 31 nC at V_GS = 10 V
Input Capacitance (C_iss) — 2.33 nF
Output Capacitance (C_oss) — 600 pF
Reverse Transfer Capacitance (C_rss) — 34 pF
Power Dissipation (P_D) — 56 W at Tc = 25 C
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55 C to +175 C
Automotive Qualification — AEC-Q101
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested

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