IPD031N03LGATMA1 vs IPD50N03S4L06ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD031N03LGATMA1 מאת Infineon ו IPD50N03S4L06ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IPD50N03S4L06ATMA1 IPD50N03S4L06ATMA1 - 30V 50A N-Ch OptiMOS | Infineon

IPD50N03S4L06ATMA1 - 30V 50A N-Ch OptiMOS | Infineon

IPD50N03S4L06ATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IPD031N03LGATMA1 IPD50N03S4L06ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel N-Channel, Enhancement Mode
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 3 —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25 °C 90 A (Tc) —
Power Dissipation (Pd) 94 W (Tc) —
RDS(on) Max @ VGS=10V 3.1 mΩ —
RDS(on) Max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max] —
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) 4.5 V, 10 V —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical @ 10V Vgs] —
Output Charge (Qoss) Ultra low (per datasheet tagline) —
טמפרטורת פעולה -55 °C to +175 °C (junction) —
מארז PG-TO252-3-11 (DPAK-2) PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin (2 + tab), surface mount
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Mounting Tab Drain (electrically connected) —
Avalanche Energy Rated Yes (per OptiMOS 3 datasheet family) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant (Green Package)
רמת MSL 1 MSL1 (up to 260 C peak reflow)
Drain-Source Voltage (V_DS) — 30 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 50 A
On-State Resistance (R_DS(on) max) — 5.5 mOhm at V_GS = 10 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) — 2.2 V
Total Gate Charge (Q_g) — 31 nC at V_GS = 10 V
Input Capacitance (C_iss) — 2.33 nF
Output Capacitance (C_oss) — 600 pF
Reverse Transfer Capacitance (C_rss) — 34 pF
Power Dissipation (P_D) — 56 W at Tc = 25 C
טמפרטורת צומת פעולה — -55 C to +175 C
Automotive Qualification — AEC-Q101
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר