IPD038N06NF2SATMA1 vs BSC054N04NSGATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD038N06NF2SATMA1 द्वारा Infineon और BSC054N04NSGATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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IPD038N06NF2SATMA1 IPD038N06NF2SATMA1 - 60V 120A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IPD038N06NF2SATMA1 - 60V 120A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IPD038N06NF2SATMA1 ✓ सक्रिय
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BSC054N04NSGATMA1 BSC054N04NSGATMA1 - 40V 81A OptiMOS 3 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC054N04NSGATMA1 - 40V 81A OptiMOS 3 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC054N04NSGATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPD038N06NF2SATMA1 BSC054N04NSGATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS (Trench) OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 20 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 3.85 mΩ max —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Typical Gate Charge (Qg) at VGS=10V 68 nC —
Input Capacitance (Ciss) 6700 pF —
Output Capacitance (Coss) 670 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 43 pF —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 107 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55°C to +175°C —
पैकेज PG-TO252-3 (DPAK) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Channel Mode Enhancement —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC054N04NSGATMA1
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 81 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 17 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 5.4 mOhm
Power Dissipation at Tc=25C — 57 W
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55C to +150C
MSL स्तर — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V
Lead-Free Reflow — Yes

डेटाशीट और संसाधन

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