IPD090N03LGATMA1 vs IRL540NPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD090N03LGATMA1 द्वारा Infineon और IRL540NPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD090N03LGATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD090N03LGATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IRL540NPBF IRL540NPBF - 100V 36A N-Channel HEXFET MOSFET TO-220

IRL540NPBF - 100V 36A N-Channel HEXFET MOSFET TO-220

IRL540NPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPD090N03LGATMA1 IRL540NPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C 40 A —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=100C [DATA_NEEDED: Id at 100C] —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed Id] —
Maximum Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 42 W —
On-State Resistance (Rds(on)) @ Vgs=10V, Id=30A 9 mOhm (typical) —
On-State Resistance (Rds(on)) @ Vgs=4.5V [DATA_NEEDED: Rds(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] 49.3 nC
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +175C (junction) —
पैकेज PG-TO252-3-11 (DPAK) TO-220AB (through-hole)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Through Hole
MSL स्तर 1 (unlimited) —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Technology Family OptiMOS 30V —
Configuration Single —
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)
Part Number — IRL540NPBF
ट्रांज़िस्टर प्रकार — N-Channel MOSFET
Technology — HEXFET (Planar DMOS)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/-16 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 36 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 130 A (pulsed)
On-Resistance RDS(on) max — 44 mOhm at VGS=5V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1 V to 2 V (logic level)
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 140 W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55 C to +175 C
Lead-Free — Yes (PBF suffix)

डेटाशीट और संसाधन

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