IPD30N08S2L21ATMA1 vs IPD30N10S3L34ATMA2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD30N08S2L21ATMA1 द्वारा Infineon और IPD30N10S3L34ATMA2 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
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IPD30N08S2L21ATMA1 - 75V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET DPAK | Infineon
IPD30N08S2L21ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD30N08S2L21ATMA1 | IPD30N10S3L34ATMA2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10 V | 26 milliohm (typ) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic-level (L series) | — |
| Gate Charge (Qg) typ | 56 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 136 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C | — |
| Maximum Junction Temperature | +175C | — |
| पैकेज | PG-TO252-3-11 (DPAK-2) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन काउंट | 3 (Drain tab + Gate + Source) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 30 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 180 A |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 57 W |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 31 mOhm (typ) |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) max | — | 2.4 V |
| Total Gate Charge (Qg) max | — | 31 nC |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 C to +175 C |
| Package / Supplier Device Package | — | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| Pin / Tab Count | — | 3 (2 + Tab) |
| Technology | — | OptiMOS-T (trench) |