IPD30N08S2L21ATMA1 vs IPD30N10S3L34ATMA2 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD30N08S2L21ATMA1 tarafından Infineon ve IPD30N10S3L34ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPD30N08S2L21ATMA1 - 75V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET DPAK | Infineon
IPD30N08S2L21ATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD30N08S2L21ATMA1 | IPD30N10S3L34ATMA2 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10 V | 26 milliohm (typ) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic-level (L series) | — |
| Gate Charge (Qg) typ | 56 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 136 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C | — |
| Maximum Junction Temperature | +175C | — |
| Paket | PG-TO252-3-11 (DPAK-2) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Sayısı | 3 (Drain tab + Gate + Source) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 30 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 180 A |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 57 W |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 31 mOhm (typ) |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) max | — | 2.4 V |
| Total Gate Charge (Qg) max | — | 31 nC |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 C to +175 C |
| Package / Supplier Device Package | — | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| Pin / Tab Count | — | 3 (2 + Tab) |
| Technology | — | OptiMOS-T (trench) |