IPD50P04P413ATMA2 vs IPD50P04P4L11ATMA2 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD50P04P413ATMA2 द्वारा Infineon और IPD50P04P4L11ATMA2 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IPD50P04P413ATMA2 IPD50P04P413ATMA2 - P-Ch 40V 50A MOSFET | Infineon OptiMOS-P2

IPD50P04P413ATMA2 - P-Ch 40V 50A MOSFET | Infineon OptiMOS-P2

IPD50P04P413ATMA2 ✓ सक्रिय
Infineon
IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 - P-Ch 40V 50A 10.6mΩ MOSFET | Infineon

IPD50P04P4L11ATMA2 - P-Ch 40V 50A 10.6mΩ MOSFET | Infineon

IPD50P04P4L11ATMA2 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPD50P04P413ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Polarity / Device Type P-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS-P2 (Trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) -40 V —
Continuous Drain Current (TC=25°C, ID) 50 A —
Continuous Drain Current (TC=100°C, ID) [DATA_NEEDED: ID @ 100°C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] —
Power Dissipation (TC=25°C, Ptot) 58 W —
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-10V 9.2 mΩ (typ) / 12.6 mΩ (max) —
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=-4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Maximum Junction Temperature (TJ,max) 175 °C —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 °C to +175 °C —
पैकेज PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO252-3-313 (DPAK), surface mount
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Standard Pack Quantity (13" reel) 2500 pcs —
MSL स्तर 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
RoHS स्थिति Compliant —
ट्रांज़िस्टर प्रकार — P-Channel MOSFET, enhancement mode
Drain-Source Voltage VDS — -40 V
Continuous Drain Current ID (TC = 25 °C) — -50 A
On-State Resistance RDS(on) (VGS = -10 V) — 10.6 mΩ typical
Gate-Source Voltage VGS (max) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — -1.0 V to -2.5 V typical
Typical Gate Charge Qg — 45 nC
Power Dissipation PD (TC = 25 °C) — 58 W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55 °C to +175 °C
पिन काउंट — 3 (Drain / Tab / Source / Gate)
RoHS Compliance — Compliant

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