IPD50P04P413ATMA2 vs IPD50P04P4L11ATMA2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD50P04P413ATMA2 بذریعہ Infineon اور IPD50P04P4L11ATMA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPD50P04P413ATMA2 IPD50P04P413ATMA2 - P-Ch 40V 50A MOSFET | Infineon OptiMOS-P2

IPD50P04P413ATMA2 - P-Ch 40V 50A MOSFET | Infineon OptiMOS-P2

IPD50P04P413ATMA2 ✓ فعال
Infineon
IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 - P-Ch 40V 50A 10.6mΩ MOSFET | Infineon

IPD50P04P4L11ATMA2 - P-Ch 40V 50A 10.6mΩ MOSFET | Infineon

IPD50P04P4L11ATMA2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD50P04P413ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity / Device Type P-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS-P2 (Trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) -40 V —
Continuous Drain Current (TC=25°C, ID) 50 A —
Continuous Drain Current (TC=100°C, ID) [DATA_NEEDED: ID @ 100°C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] —
Power Dissipation (TC=25°C, Ptot) 58 W —
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-10V 9.2 mΩ (typ) / 12.6 mΩ (max) —
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=-4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Maximum Junction Temperature (TJ,max) 175 °C —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C —
پیکیج PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO252-3-313 (DPAK), surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Standard Pack Quantity (13" reel) 2500 pcs —
MSL لیول 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
RoHS اسٹیٹس Compliant —
ٹرانزسٹر کی قسم — P-Channel MOSFET, enhancement mode
Drain-Source Voltage VDS — -40 V
Continuous Drain Current ID (TC = 25 °C) — -50 A
On-State Resistance RDS(on) (VGS = -10 V) — 10.6 mΩ typical
Gate-Source Voltage VGS (max) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — -1.0 V to -2.5 V typical
Typical Gate Charge Qg — 45 nC
Power Dissipation PD (TC = 25 °C) — 58 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 °C to +175 °C
پن کی تعداد — 3 (Drain / Tab / Source / Gate)
RoHS Compliance — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں