IPD60R360P7SAUMA1 vs IPD65R380E6ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD60R360P7SAUMA1 द्वारा Infineon और IPD65R380E6ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD60R360P7SAUMA1 | IPD65R380E6ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS™ E6 |
| Technology | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET | Superjunction (CoolMOS™) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 9 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 360 mOhm (typ, VGS = 10 V) | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 41 W | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.0 V to 4.5 V (typ) | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| पैकेज / केस | PG-TO252-3 (DPAK) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन की संख्या | 3 | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (junction) | -55 °C to +150 °C |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Channel Type | N-Channel | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | 10.6 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 380 mΩ |
| R_DS(on) test conditions | — | 3.2 A, 10 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.5 V typ |
| Gate Charge (Q_G) | — | 39 nC at 10 V |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 710 pF at 100 V |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | — | 83 W |
| पैकेज | — | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |