IPD70R1K4P7SAUMA1 vs IPL65R070C7AUMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD70R1K4P7SAUMA1 द्वारा Infineon और IPL65R070C7AUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD70R1K4P7SAUMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD70R1K4P7SAUMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IPL65R070C7AUMA1 IPL65R070C7AUMA1 - 650V 70mΩ CoolMOS C7 MOSFET | Infineon

IPL65R070C7AUMA1 - 650V 70mΩ CoolMOS C7 MOSFET | Infineon

IPL65R070C7AUMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPD70R1K4P7SAUMA1 IPL65R070C7AUMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family CoolMOS P7 (700V Superjunction) —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 700 V 650 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 4 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V, ID 1.4 ohm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C 23 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55C to +150C -55°C to +150°C
पैकेज PG-TO252-3 (DPAK) PG-VSON-4 (surface mount)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
पिन काउंट 3 (Gate, Drain, Source) —
Technology Superjunction (CoolMOS P7) Superjunction N-Channel MOSFET
Avalanche Energy Rated Yes (100% avalanche tested) —
ESD Protection Integrated (per datasheet) —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Series — CoolMOS C7
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 70 mΩ (typical)
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 169 W
Avalanche Energy (EAS) — 171 mJ
Configuration — Single with built-in diode
Channel Type — N-Channel
Lead-Free — Yes
MSL स्तर — [DATA_NEEDED: MSL rating]

डेटाशीट और संसाधन

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