IPD70R1K4P7SAUMA1 vs IPL65R070C7AUMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPD70R1K4P7SAUMA1 bằng Infineon và IPL65R070C7AUMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPD70R1K4P7SAUMA1 | IPL65R070C7AUMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | CoolMOS P7 (700V Superjunction) | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 700 V | 650 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 4 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V, ID | 1.4 ohm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] |
| Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C | 23 W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55C to +150C | -55°C to +150°C |
| Hộp | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-VSON-4 (surface mount) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Số chân | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Technology | Superjunction (CoolMOS P7) | Superjunction N-Channel MOSFET |
| Avalanche Energy Rated | Yes (100% avalanche tested) | — |
| ESD Protection | Integrated (per datasheet) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Series | — | CoolMOS C7 |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 28 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 70 mΩ (typical) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 169 W |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 171 mJ |
| Configuration | — | Single with built-in diode |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Lead-Free | — | Yes |
| Cấp MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |