IPD70R1K4P7SAUMA1 vs IPL65R070C7AUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPD70R1K4P7SAUMA1 توسط Infineon و IPL65R070C7AUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD70R1K4P7SAUMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD70R1K4P7SAUMA1 ✓ فعال
Infineon
IPL65R070C7AUMA1 IPL65R070C7AUMA1 - 650V 70mΩ CoolMOS C7 MOSFET | Infineon

IPL65R070C7AUMA1 - 650V 70mΩ CoolMOS C7 MOSFET | Infineon

IPL65R070C7AUMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPD70R1K4P7SAUMA1 IPL65R070C7AUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family CoolMOS P7 (700V Superjunction) —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 700 V 650 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 4 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V, ID 1.4 ohm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C 23 W —
دمای اتصال کاری -55C to +150C -55°C to +150°C
بسته‌بندی PG-TO252-3 (DPAK) PG-VSON-4 (surface mount)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پایه 3 (Gate, Drain, Source) —
Technology Superjunction (CoolMOS P7) Superjunction N-Channel MOSFET
Avalanche Energy Rated Yes (100% avalanche tested) —
ESD Protection Integrated (per datasheet) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Series — CoolMOS C7
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 70 mΩ (typical)
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 169 W
Avalanche Energy (EAS) — 171 mJ
Configuration — Single with built-in diode
Channel Type — N-Channel
Lead-Free — Yes
سطح MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت