IPD80R600P7ATMA1 vs BSC014NE2LSIATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD80R600P7ATMA1 द्वारा Infineon और BSC014NE2LSIATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD80R600P7ATMA1 | BSC014NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 800 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 8 A | [DATA_NEEDED: Tc condition rating] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 22 A | — |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 600 mΩ at VGS=10V | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | 60 W (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3 V (typical) | — |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | ±30 V | — |
| Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) | 20 mJ | — |
| Avalanche Energy, Repetitive (EAR) | 0.17 mJ | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +150 C | — |
| पैकेज | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CoolMOS P7 super-junction | N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V) |
| Polarity | N-Channel | — |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 100 A |
| On-State Resistance RDS(on) | — | 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 74 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 °C to +150 °C |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |